Stiskněte "Enter" pro přeskočení obsahu

16) Druhy tranzistorů

0

Tranzistory jsou zesilovací polovodičové prvky. Je možno je dělit na bipolární a unipolárnítranzistory podle toho, zda se na zesilování podílí oba typy nosičů nábojů (vodivostní elektrony a díry), nebo jen jeden typ nosičů.

Konstrukce bipolárního ( NPN ) tranzistoru

  • skládá se ze 3 na sobě ležících vrstev polovodičového materiálu
  • podle sledu vrstev se dělí bipolární tranzistory na NPN a PNP
  • oba typy tranzistorů (NPN, PNP) se chovají navzájem komplementárně

Konstrukce unipolárního tranzistoru

  • Silně dotované zóny hradla (P+) odpuzují kolem procházející nosiče nábojů a vyklánějí jejich dráhy do středu mezi plošky hradla.
  • Při zapojení napětí mezi G a S v závěrném směru se rozšíří kolem plošek hradla (G) zóny bez volných nosičů nábojů a zúží se tím vodivý kanál pro nosiče nábojů.
  • Mimořádně malý hradlový (Gate) proud lze úplně potlačit, odděluje-li kovové elektrody hradla od křemíkového krystalu (vodivého kanálu) izolační vrstva (oxidu křemičitého). Mluvíme pak o FET tranzistorech s izolační vrstvou (IG-FET) Tyto tranzistory se pro svou technologii Nazývají Metal-Oxid-Semiconduktors (MOSFET).
  • Izolací hradla se dosáhle extrémně vysokého vstupního odporu (1012-1015 Ω)
  • Přes hradlo teče nepatrně malý proud – několik femtoampérů (1fA = 10-15A)

Příklady tranzistorů

N-FET

BF245A

N-MOSFET

BS008

P-MOSFET

BS250

NPN

BC548C

PNP

BC559C

 

Napsat komentář

Vaše emailová adresa nebude zveřejněna.